KURZBIOGRAPHIE

Bildung

AHF Halle/S. 1988
Abitur

TU Ilmenau 1995
Dipl.-Ing. Elektrotechnik

TU Ilmenau 2003
Dr.-Ing. Elektrotechnik

Berufserfahrung

1992 - 1993 Praxissemester an der X-FAB GmbH Erfurt
"Simulation von technologischen Prozessen und Halbleiterbauelementen"

1995 Diplomarbeit
"Optimierung von Hochvoltbauelementen mittels 2D Bauelementesimulation"

1995 - 2004
Wissenschaftlicher Mitarbeiter an der TU Ilmenau

2003 Dissertation
"Simulation von Leistungsbauelementen mit durch Bestrahlungsverfahren eingestellter Trägerlebensdauer"

seit 2004
Entwicklungsingenieur bei der Infineon Technologies Austria AG
Senior Principal Engineer Power Device Development

Berufliche Interessen

Simulation und Charakterisierung von Bauelementen, Halbleiterphysik, Trägerlebensdauereinstellung, Ladungsträgerrekombinationsprozesse, Leistungsbauelemente und deren Anwendung, Entwicklung neuer Bauelementestrukturen

Bearbeitete Projekte

Implementierung und experimentelle Verifizierung von Rekombinationsmodellen

Analyse von Schwingungsphänomenen in Leistungsmodulen mit parallelgeschalteten IGBT Chips

Technologieentwicklung Silizium and Siliziumcarbid Power MOSFETs

Berufliche Aktivitäten

Gutachtertätigkeit für:

Microelectronics Reliability
IET Circuits, Devices and Systems
IEEE Transactions on Power Electronics
EPE Journal
European Conference on Power Electronics EPE 2001 in Graz, Österreich
European Conference on Power Electronics EPE 2003 in Toulouse, Frankreich
24th International Conference on Microelectronics MIEL 2004 in Niš, Serbien und Montenegro
11th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2004 in Riga, Lettland
European Conference on Power Electronics EPE 2005 in Dresden, Deutschland
25th International Conference on Microelectronics MIEL 2006 in Niš, Serbien und Montenegro
4th Power Conversion Conference PCC 2007 in Nagoya, Japan
European Conference on Power Electronics EPE 2007 in Aalborg, Dänemark
26th International Conference on Microelectronics MIEL 2008 in Niš, Serbien
39th Power Electronics Specialists Conference PESC 2008 auf Rhodos, Griechenland
13th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2008 in Poznan, Polen
IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition ECCE 2009 in San Jose, USA
European Conference on Power Electronics EPE 2009 in Barcelona, Spanien
27th International Conference on Microelectronics MIEL 2010 in Niš, Serbien
IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition ECCE 2010 in Atlanta, USA
14th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2010 in Ohrid, Mazedonien
European Conference on Power Electronics EPE 2011 in Birmingham, Grossbritannien
28th International Conference on Microelectronics MIEL 2012 in Niš, Serbien
15th International Power Electronics and Motion Control Conference EPE-PEMC 2012 ECCE Europe in Novi Sad, Serbien
IEEE Energy Conversion Congress and Exhibition ECCE 2013 in Denver, USA
European Conference on Power Electronics EPE 2013 in Lille, Frankreich
European Conference on Power Electronics EPE 2014 in Lappeenranta, Finnland
European Conference on Power Electronics EPE 2015 in Genf, Schweiz
European Conference on Power Electronics EPE 2016 in Karlsruhe, Deutschland
European Conference on Power Electronics EPE 2017 in Warschau, Polen
14th International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2018 in Prag, Tschechische Republik
European Conference on Power Electronics EPE 2018 in Riga, Lettland
European Conference on Power Electronics EPE 2019 in Genua, Italien
European Conference on Power Electronics EPE 2020
European Conference on Power Electronics EPE 2021
15th International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2021 in Prag, Tschechische Republik
European Conference on Power Electronics EPE 2022
15th International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2023 in Prag, Tschechische Republik
European Conference on Power Electronics EPE 2023

Session Chair bei:

EPE 2003 in Toulouse, Frankreich
EPE 2005 in Dresden, Deutschland
EPE 2007 in Aalborg, Dänemark
EPE 2009 in Barcelona, Spanien
EPE 2011 in Birmingham, Grossbritannien
EPE 2013 in Lille, Frankreich
EPE 2015 in Genf, Schweiz
EPE 2017 in Warschau, Polen
EPE 2019 in Genua, Italien
EPE 2020
EPE 2021
15th International Seminar on Power Semiconductors ISPS 2021 in Prag, Tschechische Republik
EPE 2022 in Hannover, Deutschland
EPE 2023 in Aalborg, Dänemark

Mitglied des International Scientific Committee der EPE
Mitglied der Hauptversammlung der EPE

VERÖFFENTLICHUNGEN

R.Siemieniec, S.Mazzer, G.Nöbauer, C.Braz, D.Laforet, E.Pree and A.Ferrara "Boosting efficiency in resonant converters by the use of a new advanced power MOSFET technology", Proc. EPE 2023, Aalborg, Dänemark

O.Song, R.Siemieniec, S.Mazzer, C.Braz, G.Nöbauer, M.Hutzler, D.Laforet, E.Pree and A.Ferrara, "More than an Evolution: a New Power MOSFET Technology for Higher Efficiency of Power Supplies", Proc. PCIM Asia 2023, Shanghai, China (Gewinner des Best Paper Award)

R.Siemieniec, C.Braz, S.Mazzer and G.Nöbauer, "New Power MOSFET and their use in Intermediate Bus Converters", Proc. ISPS 2023, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, S.Mazzer, C.Braz, M.Hutzler, D.Laforet, I.Neumann, E.Pree and A.Ferrara, "Accelerating the Drive for Higher Efficiencies Through Power MOSFET Technology Innovation", pp. 6-11, Power Electronic News, May, 2023

S.Mazzer, C.Braz, R.Siemieniec, D.Laforet, E.Pree and A.Ferrara, "The Next Step in Power MOSFET Technology Enables Further Increase in Power Supply Efficiencies", Proc. PCIM 2023, Nürnberg, Deutschland

R.Siemieniec, M.Hutzler, C.Braz, T.Naeve, E.Pree, H.Hofer, I.Neumann and D.Laforet, "A new power MOSFET technology achieves a further milestone in efficiency", Proc. EPE 2022, Hannover, Deutschland

R.Siemieniec, R.Mente, M.Kutschak and F.Pulsinelli, "Power device solutions for highly efficient power supplies", Proc. ISPS 2021, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, R.Mente, W.Jantscher, D.Kammerlander and U.Wenzel, "600 V power device technologies for highly efficient power supplies", Proc. EPE 2021

A.Ferrara, R.Siemieniec, U.Medic, M.Hutzler, O.Blank, and T.Henson, "Evolution of reverse recovery in trench MOSFETs", Proc. ISPSD 2020, Wien, Österreich

R.Mente, R.Siemieniec, W.Jantscher, D.Kammerlander, U.Wenzel and G.Mattiussi, "A novel 650 V SiC Technology for high efficiency Totem Pole PFC topologies", Proc. PCIM 2020, Nürnberg, Deutschland

R.Siemieniec. T.Aichinger, W.Jantscher, D.Kammerlander, R.Mente and U.Wenzel, "650 V SiC Trench MOSFET for high-efficiency power supplies", Proc. EPE 2019, Genua, Italien

R.Siemieniec and C.Braz, "Impact of synchronous rectification MOSFET capacitance on the overall efficiency of LLC converters", Proc. ISPS 2018, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, C.Braz and O.Blank, "Design considerations for charge-compensated fast-switching power MOSFET in the medium voltage range", IET Power Electronics, pp. 638-645, Vol. 11, No. 4, 2018

R.Siemieniec, D.Peters, R.Esteve, W.Bergner, D.Kück, T.Aichinger, T.Basler and B.Zippelius, "A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability", Proc. EPE 2017, Warschau, Polen

D.Peters, R.Siemieniec, T.Aichinger, T.Basler, R.Esteve, W.Bergner and D.Kück, "Performance and Ruggendess of 1200V SiC-Trench-MOSFET", Proc. ISPSD 2017, Sapporo, Japan

D.Peters, T.Basler, B.Zippelius, T.Aichinger, W.Bergner, R.Esteve, D.Kück and R.Siemieniec, "The new CoolSiC™ Trench MOSFET Technology for Low Gate Oxide Stress and High Performance", Proc. PCIM Europe 2017, Nürnberg, Deutschland

R.K.Williams, M.N.Darwish, R.A.Blanchard, R.Siemieniec, P.Rutter and Y.Kawaguchi, "The Trench Power MOSFET: Part I — History, Technology, and Prospects", IEEE Transactions on Electron Devices, pp. 674-691, Vol. 64, No. 3, 2017 (Invited Paper)

R.K.Williams, M.N.Darwish, R.A.Blanchard, R.Siemieniec, P.Rutter and Y.Kawaguchi, "The Trench Power MOSFET - Part II: Application Specific VDMOS, LDMOS, Packaging, and Reliability", IEEE Transactions on Electron Devices, pp. 692-712, Vol. 64, No. 3, 2017 (Invited Paper)

R.Siemieniec, C.Braz and O.Blank, "Design considerations for charge-compensated power MOSFET in the medium-voltage range", Proc. ISPS 2016, Prag, Tschechische Republik

R.Walter, R.Siemieniec and M.Hoja, "An improved and low-resistive package for high-current MOSFET", Proc. EPE 2015, Genf, Schweiz

R.Siemieniec, M.Hutzler, D.Laforet, O.Blank, L.-J.Yip, A.Huang and R.Walter, "Development of low-voltage power MOSFET based on application requirement analysis", Facta Universitatis (Niš), Ser.: Elec. Energ., Vol.28, No.3, 2015

R.Siemieniec, M.Hutzler, D.Laforet, L.-J.Yip, A.Huang and R. Walter, "Application-tailored development of Power MOSFET", Proc. ISPS 2014, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, O.Blank, M.Hutzler, L.J.Yip and J.Sanchez, "Robustness of MOSFET Devices under Hard Commutation of the Body Diode", Proc. EPE 2013, Lille, Frankreich

R.Siemieniec and O.Blank, "Power MOSFET Design for Synchronous Rectification", Proc. ISPS 2012, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec., G.Nöbauer and D.Domes, "Stability and performance analysis of a SiC-based cascode switch and an alternative solution", Microelectronics Reliability, pp. 509-518, Vol. 52, No. 3, 2012
Veröffentlicht bei Elsevier

R.Siemieniec, C.Mößlacher, O.Blank, M.Rösch, M.Frank and M.Hutzler, "A new Power MOSFET Generation designed for Synchronous Rectification", Proc. EPE 2011, Birmingham, Grossbritannien

R.Siemieniec and U.Kirchner , "The 1200V Direct-Driven SiC JFET power switch", Proc. EPE 2011, Birmingham, Grossbritannien

R.Siemieniec., G.Nöbauer and D.Domes, "Stability and performance analysis of a cascode switch", Proc. ISPS 2010, Prag, Tschechische Republik

R.Baburske, J.Lutz, H.-J.Schulze, T.Basler, R.Siemieniec, M.Pfaffenlehner, H.P.Felsl, F.-J.Niedernostheide and F.Pfirsch, "The Trade-Off between Surge-Current Capability and Reverse-Recovery Behaviour of High-Voltage Power Diodes", Proc. ISPS 2010, Prag, Tschechische Republik

R.Baburske, J.Lutz, H.-J.Schulze, H.P.Felsl and R.Siemieniec, "A new Diode Structure with Inverse Injection Dependency of Emitter Efficiency (IDEE)" Proc. ISPSD 2010, Hiroshima, Japan

R.Siemieniec, O.Häberlen and J.M.M.Sanchez, "Extending the OptiMOS 3 Power MOSFET Family", Bodos Power, pp. 22-24, No. 10, 2009

R.Siemieniec, O.Häberlen and J.M.M.Sanchez, "Leistungs-MOSFETs im Niederspannungsbereich - Wege zu mehr Effizienz", Design & Elektronik, pp. 11-12, No. 9, 2009

R.Siemieniec, F.Hirler and C.Geissler, "Space-saving edge-termination structures for vertical charge compensation devices", Proc. EPE 2009, Barcelona, Spanien

R.Siemieniec, A.Pugatschov, C.Geissler, H.-J.Schulze, F.-J.Niedernostheide, R.Heiderhoff and L.-J.Balk, "Analysis of power devices breakdown behaviour by ion beam and electron beam induced charge microscopy", Proc. ISPS 2008, Prag, Tschechische Republik

I.Pawel, R.Siemieniec and M.Born, "Theoretical Evaluation of Maximum Doping Concentration, Breakdown Voltage and On-state Resistance of Field-Plate Compensated Devices", Proc. ISPS 2008, Prag, Tschechische Republik

I.Pawel, R.Siemieniec and M.Rösch, "Multi-Cell Effects during Unclamped Inductive Switching of Power MOSFETs", Proc. MIEL, Niš/Serbien, 2008

I.Pawel, R.Siemieniec, "A New Simulation Approach to Investigate Avalanche Behavior", Proc. IETA, 2007

I.Pawel, R.Siemieniec, M.Rösch, F.Hirler and R.Herzer, "Experimental Study and Simulations on Two Different Avalanche Modes in Trench Power MOSFETs", IET Proceedings - Circuits, Devices & Systems, pp. 341-346, Vol. 1, No. 5, 2007

I.Pawel, R.Siemieniec, M.Rösch, F.Hirler, C.Geissler, A.Pugatschow and L.J.Balk, "Design of Avalanche Capability of Power MOSFETs by Device Simulation", Proc. EPE 2007, Aalborg, Dänemark

I.Pawel, R.Siemieniec, M.Rösch, F.Hirler, R.Herzer, "Simulating the Avalanche Behavior of Trench Power MOSFETs", Proc. ISPS 2006, Prag, Tschechische Republik, 2006

L.Görgens, R.Siemieniec, J.M.M.Sanchez, "MOSFET Technology as a Key for High Power Density Converters", Proc. EPE-PEMC 2006, Portoroz, Slowenien, 2006

R.Siemieniec, F.Hirler, A.Schlögl, M.Rösch, N.Soufi-Amlashi, J.Ropohl, U.Hiller, "A new fast and rugged 100 V power MOSFET", Proc. EPE-PEMC 2006, Portoroz, Slowenien, 2006

L.Görgens, R.Siemieniec, "Niedriger Widerstand und kurze Schaltzeiten - OptiMOS-2 - 100V-MOSFETs für Leistungsanwendungen mit hohem Wirkungsgrad", Elektronik, pp. 60-63, No. 13, June, 2006

L.Görgens, R.Siemieniec, "Series of Leading Edge 100V MOSFETs", pp. 37-40, Power Systems Design Europe, June, 2006

L.Görgens, R.Siemieniec, "100V MOSFETs for embedded power systems", pp. 8-10, EDN Asia Supplement, No. 5, 2006

R.Siemieniec, H.-J.Schulze, F.-J.Niedernostheide, W.Südkamp, J.Lutz, "Compensation and doping effects in heavily helium-radiated silicon for power device applications", Microelectronics Journal, pp. 204-212, Vol. 37, No. 3, 2006
Veröffentlicht bei Elsevier

R.Siemieniec, P.Mourick, M.Netzel, J.Lutz, "The Plasma Extraction Transit-Time Oscillation in Bipolar Power Devices - Mechanism, EMC Effects and Prevention", IEEE Transactions on Electron Devices, pp. 369-379, Vol. 53, No. 2, 2006
Dieser Artikel wurde mit Genehmigung der IEEE veröffentlicht. Einzelne Kopien dürfen ausschließlich für den privaten Gebrauch heruntergeladen werden!

R.Siemieniec, F.-J.Niedernostheide, H.-J.Schulze, W.Südkamp, U.Kellner-Werdehausen, J.Lutz, "Irradiation-induced deep levels in silicon for power device tailoring", Journal of the Electrochemical Society, pp. G108-G118, Vol. 152, No. 2, 2006
Dieser Artikel wurde mit Genehmigung der ECS - The Electrochemcial Society veröffentlicht. Einzelne Kopien dürfen ausschließlich für den privaten Gebrauch heruntergeladen werden!

R.Siemieniec, P.Mourick, M.Netzel, "Avoidance of RF plasma extraction transit-time oscillations using 3-D EMC simulation: chances and limits", IEE Proceedings - Circuits, Devices & Systems, pp. 16-22, Vol. 153, No. 1, 2006

J.Lutz, R.Siemieniec, H.-J.Schulze, F.-J.Niedernostheide, "Characteristics of irradiation-induced deep levels in silicon", Proc. Solid State Chemistry and Modern Micro- and Nanotechnologies Conference 2005, Kislovodsk, Russland (Invited Paper)

A.Schlögl, F.Hirler, J.Ropohl, U.Hiller, M.Rösch, N.Soufi-Amlashi, R.Siemieniec, "A new robust power MOSFET family in the voltage range 80V - 150V with superior low RDSon, excellent switching properties and improved body diode", Proc. EPE 2005, Dresden, Deutschland

R.Siemieniec, F.-J.Niedernostheide, H.-J.Schulze, W.Südkamp, U.Kellner-Werdehausen, J.Lutz, "Irradiation-Induced Deep Levels In Silicon", Proc. 206th Annual Meeting of ECS 2004, Hawaii, USA (Invited Paper)

R.Siemieniec, M.Netzel, P.Mourick, "Characterisation of Power Modules by 3D EMC Simulation for the Avoidance of RF Transit-Time Oscillations", Proc. ISPS 2004, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, H.-J.Schulze, F.-J.Niedernostheide, W.Südkamp, J.Lutz, "Doping Effects in Heavily Helium-Radiated Silicon", Proc. ISPS 2004, Prag, Tschechische Republik

R.Siemieniec, J.Lutz, R.Herzer, "Analysis of dynamic impatt oscillations caused by radiation induced deep centres with local and homogenous vertical distribution", IEE Proceedings - Circuits, Devices & Systems, pp. 219-224, Vol.151, No. 3, 2004
Dieser Artikel wurde mit Genehmigung der IEE veröffentlicht. Einzelne Kopien dürfen ausschließlich für den privaten Gebrauch heruntergeladen werden!

R.Siemieniec, P.Mourick, J.Lutz, M.Netzel, "Analysis of Plasma Extraction Transit Time Oscillations in Bipolar Power Devices", Proc. ISPSD 2004, Kitakyushu, Japan

R.Siemieniec, P.Mourick, J.Lutz, "EMC Problems due to Transit-Time Oscillations in Bipolar Power Devices", Proc. PCIM Europe 2004, Nürnberg, Deutschland

R.Siemieniec, R.Herzer, M.Netzel, J.Lutz, "Application of Carrier Lifetime Control by Irradiation to 1.2kV NPT IGBTs", Proc. Miel 2004, pp. 167-170, Niš/Serbien & Montenegro, 2004

R.Siemieniec, J.Lutz, "Possibilities and limits of axial lifetime control by radiation induced centres in fast recovery diodes", Microelectronics Journal, Vol.35, No.3, pp.259-267, 2004
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R.Siemieniec, "Simulation von Leistungsbauelementen mit durch Bestrahlungsverfahren eingestellter Trägerlebensdauer", PhD Thesis, BoD GmbH Norderstedt, Deutschland, 2003

R.Siemieniec, R.Herzer, M.Netzel, T.Doll, J.Lutz, "A Study on the Influence of Different Carrier Lifetime Profiles on the Properties of 1.2kV NPT IGBTs", Proc. 48th International Scientific Colloquium, Ilmenau, Deutschland, 2003

R.Siemieniec, M.Netzel, J. Lutz, P.Mourick, "Transit Time Oscillations as a Source of EMC Problems in Bipolar Power Devices", Proc. EPE 2003, Toulouse, Frankreich, 2003

R.Siemieniec, J.Lutz, R.Herzer, "Analysis of Dynamic Impatt Oscillations caused by Radiation Induced Deep Centers", Proc. ISPSD 2003, Cambridge, Grossbritannien, 2003

R.Siemieniec, J.Lutz, "Axial Lifetime Control by Radiation Induced Centres in Fast Recovery Diodes", Proc. ISPS 2002, Prag, Tschechische Republik, 2002

R.Siemieniec, W.Südkamp, J.Lutz, "Determination of Parameters of Radiation Induced Traps in Silicon", Solid-State Electronics, Vol.46, No.6, pp.891-901, 2002
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M.Netzel, R.Siemieniec, R.Lerner, J.Lutz, "3.3kV IGBT and Diode Chipset using Lifetime Control Techniques and Low-Efficiency Emitters", Facta Universitatis (Niš), Ser.: Elec. Energ., Vol.15, No.1, pp.51-59, April 2002

R.Siemieniec, J.Lutz, W.Südkamp, R.Herzer, "Parameters of Radiation-Induced Centers for Simulation of Irradiated Power Devices", Proc. MIEL 2002, Niš/Jugoslawien, 2002

M.Netzel, R.Lerner, R.Siemieniec, J.Lutz, "PT-IGBT and Freewheeling Diode for 3.3kV using Lifetime Control Techniques and Low-Efficiency Emitters", Proc. MIEL 2002, Niš/Jugoslawien, 2002

R.Siemieniec, W.Südkamp, J.Lutz, "Applying Device Simulation for Lifetime-Controlled Devices", Proc. ICCDCS 2002 (International Caracas Conference on Devices, Circuits and Systems), Aruba, 2002

R.Siemieniec, W.Südkamp, J.Lutz, M.Netzel, "Temperature Dependent Properties of Different Lifetime Killing Technologies on Example of Fast Power Diodes", Proc. IETA 2001 (International Conference on Industrial Electronics, Technology and Automation), Cairo, Ägypten

R.Siemieniec, D.Schipanski, W.Südkamp, J.Lutz, "Simulation and Experimental Results of Irradiated Power Diodes", Proc. EPE 1999, Lausanne, Schweiz, 1999

R.Siemieniec, M.Netzel, R.Herzer, "Comparison of the NPT and PT Cell Concept for 600V IGBTs" , Proc. EPE 1997, pp.4024-4028, Trondheim, Norwegen, 1997

R.Siemieniec, M.Netzel, D.Schipanski, R.Herzer: "Comparison of Different Cell Concepts for 1200V-NPT-IGBT's", Proc. MIEL 1995, pp.375-380, Niš/Jugoslawien, 1995

R.Siemieniec, "Optimierung von Hochvoltbauelementen mittels 2D-Simulation", Diplomarbeit, TU Ilmenau, 1995

R.Siemieniec: "Einfacher MW-Super mit A 283 D für den Anfänger", Funkamateur 04/88, pp.175-176, 1988
- Ein eher historischer Beitrag mit nur wenigen Bezügen zu Halbleiterphysik & ähnlichen Dingen... -

KOLLOQUIUMSBEITRÄGE UND VORTRÄGE

D.Peters, T.Aichinger, T.Basler, W.Bergner, R.Esteve, D.Kück, R.Siemieniec, D.Zippelius, "1200V SiC Trench-MOSFET optimised for high reliability and high performance", 45.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Anwendung, Freiburg, 2016

F.Hirler, A.Schlögl, M.Rösch, N.Soufi-Amlashi, R.Siemieniec, J.Ropohl, U.Hiller, L.Görgens, "Schneller und robuster 100V Leistungstransistor jenseits des Siliziumlimits", 34.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Integration, Freiburg, 2005

R.Siemieniec, P.Mourick, J.Lutz, M.Netzel, "Pett-Schwingungen in Leistungsmodulen mit parallel geschalteten Bauelementen", 32.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Integration, Freiburg, 2003

R.Siemieniec, "Durch Leistungsbauelemente hervorgerufene EMV-Störungen", Institutskolloquium des Elektrotechnischen Institutes an der TU Chemnitz, Chemnitz, 2003

R.Siemieniec, J.Lutz, "Analyse der durch tiefe bestrahlungsinduzierte Zentren hervorgerufenen dynamischen Impatt-Oszillation", 31.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Integration, Freiburg, 2002

M.Netzel, R.Lerner, R.Siemieniec, J.Lehmann, J.Lutz, "PT-IGBT/CAL-Diode Kombination für 3.3kV", 31.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Integration, Freiburg, 2002

R.Siemieniec, J.Lutz, W.Südkamp, "Simulation von Bauelementen mit strahlungsinduzierten Rekombinationszentren", 30.Kolloquium Halbleiter - Leistungsbauelemente und ihre systemtechnische Integration, Freiburg, 2001

R.Siemieniec, "Ergebnisse und Probleme bei der Simulation lebensdauereingestellter Leistungsbauelemente", Seminar Semikron Elektronik GmbH Nürnberg, Juni 2000

W.Südkamp, R.Siemieniec, J.Lutz, "Untersuchung der Temperaturabhängigkeit der Trägerlebensdauer in elektronenbestrahlten Dioden mit der DLTS- und Speicherzeitmessung", 28.Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgüte Silizium, Freiburg, 1999

M.Netzel, R.Siemieniec, "Lebensdauereinstellung an Bauelementen der Leistungselektronik", Institutskolloquium des Institutes für Elektrophysik, TU München, Mai 1999

M.Netzel, R.Herzer, R.Siemieniec, D.Schipanski, "Möglichkeiten der Realisierung und Vorteile eines bidirektional sperrfähigen IGBTs", 25.Kolloquium Halbleiter-Leistungsbauelemente und Materialgüte von Silizium Freiburg /Breisgau, 1996